การประยุกต์ใช้เป็นวัสดุตัวนำที่โปร่งใส

ตัวเลือกที่มีแนวโน้มสำหรับการประยุกต์ใช้เป็นวัสดุตัวนำที่โปร่งใสในอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์รุ่นต่อไป เมื่อเร็ว ๆ นี้ Ga 2 O 3ได้รับความสนใจเนื่องจากการใช้งานตั้งแต่เซ็นเซอร์ก๊าซและวัสดุโครงสร้างนาโนไปจนถึงวัสดุสำคัญในการเร่งปฏิกิริยาแกลเลียมออกไซด์ แกลเลียม เป็นวัสดุที่มีความสำคัญในการทำงาน มันถูกใช้เป็นฉนวนกั้นสำหรับทางแยกอุโมงค์ที่ขึ้นกับการหมุนแกลเลียมออกไซด์ที่กระตุ้นด้วยแมงกานีสได้รับการพิสูจน์แล้วว่าเป็น สารเรือง แสงด้วยไฟฟ้า พบว่า สายนาโนที่เป็นผลึกแกลเลียมออกไซด์สามารถปล่อยแสงสีน้ำเงินได้แกลเลียมออกไซด์ขนาดนาโนที่มีอัตราส่วนพื้นที่ผิว/ปริมาตรสูง อาจมีคุณสมบัติการนำไฟฟ้าและคุณสมบัติทางแสง เฉพาะ วิธีการสังเคราะห์และสารตั้งต้นมีความสำคัญมากในการได้รับวัสดุที่มี คุณสมบัติตามที่ต้องการ โดยเฉพาะที่เกี่ยวข้องกับอนุภาคนาโน อนุภาคนาโน Ga 2 O 3ได้รับการสังเคราะห์ด้วยวิธีต่างๆ มีการใช้วัสดุเริ่มต้นที่แตกต่างกันในการสังเคราะห์อนุภาคนาโนเหล่านี้ ซึ่งส่งผลให้อนุภาคนาโนมีรูปร่างและขนาดต่างกัน การทบทวนนี้ให้รายละเอียดเกี่ยวกับวิธีการสังเคราะห์จากวัสดุตั้งต้นต่างๆ ร่วมกับอนุภาคนาโนที่ได้จาก วิธีการเหล่านี้ และเทคนิคการแสดงลักษณะเฉพาะที่ใช้สำหรับอนุภาคนาโนที่เป็นผลลัพธ์ของ Ga 2 O 3โดยใช้ Ga และ Ga 2 O 3เป็นวัสดุตั้งต้นโดยไม่ต้องเติมตัวเร่งปฏิกิริยา

สายนาโน Ga 2 O 3ถูกประดิษฐ์ขึ้นผ่านกระบวนการไอ-ของแข็งในบรรยากาศโดยรอบโดยใช้ Ga และ Ga 2 O 3 เป็นวัสดุตั้งต้นโดยไม่เพิ่มตัวเร่งปฏิกิริยาโดย Cai et al กลไกการก่อตัวของเส้นลวดนาโนได้รับการวิเคราะห์โดยดิฟเฟอเรนเชียลสแกนแคลอรีมิเตอร์และการวิเคราะห์เทอร์โมกราวิเมตริกและพบว่าถูกควบคุมโดยกลไกการเติบโตของไอ-ของแข็ง (VS) ผลลัพธ์แสดงว่ามีจุดสูงสุดของการคายความร้อนที่ค่อนข้างแรงอยู่ที่ 848 °C ในเส้นโค้ง DSC และเส้นโค้ง TG สูงขึ้นอย่างรวดเร็วตามลำดับ ซึ่งบ่งชี้ถึงปฏิกิริยาออกซิเดชันที่รุนแรงที่อุณหภูมิประมาณนี้ กระบวนการออกซิเดชันของ Ga ที่ฝังอยู่ใน Ga 2 O 3แป้งสามารถแบ่งคร่าวๆ ออกเป็นสามขั้นตอนตามผลลัพธ์ของ DSC/TG ผลลัพธ์ที่ได้แสดงให้เห็นว่าขั้นตอนแรกคือจากจุดหลอมเหลว (29.8 °C) ถึงประมาณ 40 °C; ขั้นที่สองคือจาก 40 ถึงประมาณ 838 °C; และอันที่สามคือตั้งแต่ 838 ถึง 1200 °C